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厂商型号

BSS159N L6327 

产品描述

MOSFET N-CH 60V 0.23A

内部编号

173-BSS159N-L6327

生产厂商

Infineon Technologies

infineon

#1

数量:3
最小起订量:1
美国加州
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BSS159N L6327产品详细规格

规格书 BSS159N L6327 datasheet 规格书
BSS159N
文档 Multiple Devices 25/Nov/2011
产品更改通知 Product Discontinuation 25/Nov/2011
标准包装 3,000
FET 型 MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET特点 Depletion 模式
漏极至源极电压(VDSS) 60V
电流-连续漏极(编号)@ 25°C 230mA
Rds(最大)@ ID,VGS 3.5 Ohm @ 160mA, 10V
VGS(TH)(最大)@ Id 2.4V @ 26µA
栅极电荷(Qg)@ VGS 2.9nC @ 5V
输入电容(Ciss)@ Vds的 44pF @ 25V
功率 - 最大 360mW
安装类型 Surface Mount
包/盒 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供应商器件封装 PG-SOT23-3
包装材料 Tape & Reel (TR);;其他的名称;
产品种类 MOSFET
RoHS RoHS Compliant
晶体管极性 N-Channel
漏源击穿电压 60 V
源极击穿电压 +/- 20 V
连续漏极电流 0.23 A
抗漏源极RDS ( ON) 3500 mOhms
配置 Single
最高工作温度 + 150 C
安装风格 SMD/SMT
封装/外壳 SOT-23-3
封装 Reel
下降时间 2.9 ns
最低工作温度 - 55 C
功率耗散 360 mW
上升时间 2.9 ns
工厂包装数量 3000
典型关闭延迟时间 9 ns
零件号别名 BSS159NL6327HTSA1 BSS159NL6327XT SP000247297
寿命 End of Life: Scheduled for obsolescence and will be discontinued by the manufacturer.
FET特点 Depletion Mode
安装类型 Surface Mount
电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C 230mA (Ta)
的Vgs(th ) (最大)@ Id 2.4V @ 26µA
漏极至源极电压(Vdss) 60V
标准包装 3,000
供应商设备封装 PG-SOT23-3
开态Rds(最大)@ Id ,V GS 3.5 Ohm @ 160mA, 10V
FET型 MOSFET N-Channel, Metal Oxide
功率 - 最大 360mW
输入电容(Ciss ) @ VDS 44pF @ 25V
闸电荷(Qg ) @ VGS 2.9nC @ 5V
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
系列 BSS159
RDS(ON) 3500 mOhms

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